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문턱 스위칭용 doped-GeTe 박막의 형성 방법 Method of Forming doped-GeTe Thin Film for Threshold Switching

판매 대리인 : 기율특허

전화번호 : 02-782-1004

메일주소 : kiyul@kiyul.co.kr

판매특허요약 : 문턱 스위칭용 doped-GeTe 박막을 형성하는 방법에 관한 것

가격 : 소액 (500만원 이하 협의가능)

SKU: 한밭대학교 산학협력단 카테고리: , ,

출원번호 : 10-2013-0043427 (2013년04월19일)

등록번호 : 10-1463776 (2014년11월14일)

특허권자 : 한밭대학교

요약 : 본 발명은 프로그래머블 메모리 소자 등의 문턱 스위칭용 재료에 적합하도록 스퍼터링 방식으로 GeTe에 In 및 P
를 도핑한 문턱 스위칭용 doped-GeTe 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.

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