[미국] Method of preparing nitrogen-doped graphene and nitrogen-doped graphene prepared thereby (따라서 준비된 질소 도핑 그래핀과 질소 도핑 그래핀을 준비하는 방법)

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판매특허요약 : [미국] Method of preparing nitrogen-doped graphene and nitrogen-doped graphene prepared thereby (따라서 준비된 질소 도핑 그래핀과 질소 도핑 그래핀을 준비하는 방법)

가격 : 1천만원

SKU: UNIST ACADEMY-INDUSTRY RESEARCH CORPORATION 카테고리:

출원번호 : 13077777 (2011.03.31)

등록번호 : 08575335 (2013.11.05)

특허권자 : Unist Academy-Industry Research Corporation

요약 :

본 발명은 친전자성 치환 반응을 통한 카복시기 산 그룹과 같은 아미노기류와 관능기를 가지는 유기재를 갖는 그라파이트를 바인딩하는 것에 의한 가장자리 관능기화 그래핀을 준비하는 것과 결과 가장자리 관능기화 그래핀을 처리하는 열과, 따라서 준비된 질소 도핑 그래핀을 포함하는 질소 도핑 그래핀을 준비하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 그것에 의해 한 더 값이 싼 그리고 더 단순한 방법, 질소 도핑 그래핀이 높은 순도와 높은 수율에 준비될 수 있다. 본 발명에 의해 얻어진 질소 도핑 그래핀이 매우 우수한 물리적 및 전기적 특성을 가지고, 특히 우수한 산소 감소 성능을 가지고, 음극에 이용된 백금 촉매로 비교되고의 한 H2/O2 연료 전지 그것이 더 많아서 낮아지기 위해 플래티늄을 대체시킬 것이도록 비용의 한 H2/O2 연료 전지 또는 그것의 수명을 증가시킨다 그리고 상품화에게 새로운 회전 부위를 제공하기 위해 더 멀의 한 H2/O2 연료 전지.