, ,

반도체 제조 공정을 이용한 질화물 반도체 발광소자 제조 방법 (METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS)

판매 대리인 : 기율특허

전화번호 : 02-782-1004

메일주소 : kiyul@kiyul.co.kr

판매특허요약 : 본 발명은 반도체 제조 공정을 이용한 질화물 반도체 발광소자 제조 방법에 대한 것이다.

가격 : 가격 협의

오류: 문의 양식을 찾을 수 없습니다.

SKU: 남서울대학교 산학협력단 카테고리: , ,

출원번호 : 10-2019-0073206 (2019.06.20)

등록번호 : 10-22134620000 (2021.02.02)

특허권자 : 남서울대학교 산학협력단

요약 : 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체로 베이스층 형성하는 단계; 상기 베이스층 상에 절연층을 형성한 후, 상기 절연층을 식각하여 상기 베이스층이 노출되는 복수의 홀을 포함하는 나노 몰드를 형성하는 단계; 상기 나노 몰드의 복수의 홀에 제1 도전형 질화물 반도체를 증착하고 상기 나노 몰드를 제거하여 복수의 제1 도전형 질화물 반도체 나노로드를 형성하는 단계; 상기 복수의 제1 도전형 질화물 반도체 나노로드 표면에 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하고, 상기 절연층의 식각은 반응성 이온 식각 공정으로 수행된다.

1020190073206