갈륨 이온이 도핑된 금속 산화물 입자 및 이의 연속 제조 방법

출원번호 : 10-2016-0049417 (출원일: 2016-04-22)

등록번호 : 10-1740420 (등록일: 2017-05-22)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명의 제조 방법으로 제조된 갈륨 이온 도핑된 금속 산화물 입자는 반응 과정에서 미세기포에 의해 전기화학적 특성, 광학적 특성 및 표면학적 특성이 현저히 향상되는 효과가 있다. 또한 본 발명의 제조 방법은 상기 효과와 함께 상기 입자를 연속적인 공정으로 제조할 수 있음에 따라, 생산 규모를 현저히 증대시킬 수 있어 높은 생산효율 및 공정효율을 가지는 장점이 있다.

대표청구항 : 아연 전구체, 주석 전구체 및 갈륨 전구체 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 금속 전구체 액적과 미세기포가 접촉하고 열반응하여 갈륨 이온이 도핑된 금속 산화물 입자가 합성되는 단계를 포함하며,상기 단계는,s1) 상기 금속 전구체 액적이 반응부로 유입되는 전구체 액적 흐름 단계s2) 상기 미세기포가 상기 반응부로 유입되는 미세기포 흐름 단계 및s3) 상기 반응부에서 상기 금속 전구체 액적과 상기 미세기포가 접촉하고 열반응하는 단계를 포함하는 갈륨 이온이 도핑된 금속 산화물 입자의 제조 방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3517222001362