플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM 및 그 동작 방법

출원번호 : 10-2019-0115125 (출원일: 2019-09-19)

등록번호 : 10-2330018 (등록일: 2021-11-18)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 6T SRAM(Static random access memory)의 휘발성(Volatile) 특성을 개선하여 동작 속도가 빠르면서 전원이 차단된 후에도 정보가 사라지지 않고 유지되는 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM 및 그 동작 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM은 제1 인버터, 제2 인버터, 제1 패스 게이트(pass gate) 및 제2 패스 게이트(pass gate)를 포함한다. 상기 제1 인버터는 제1 풀업(pull up) 트랜지스터에 연결되는 제1 풀다운(pull down) 트랜지스터로 형성된다. 또한, 상기 제2 인버터는 제2 풀업(pull up) 트랜지스터에 연결되는 제2 풀다운(pull down) 트랜지스터로 형성된다. 또한, 상기 제1 패스 게이트(pass gate)는 상기 제1 인버터의 출력과 비트라인바 노드 사이에 연결되는 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자로 이루어진다. 또한, 상기 제2 패스 게이트(pass gate)는 상기 제2 인버터의 출력과 비트라인 노드 사이에 연결되는 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자로 이루어진다.

대표청구항 : 6T 비휘발성(Non-volatile) SRAM(Static Random Access Memory)에 있어서,제1 풀업(pull up) 트랜지스터에 연결되는 제1 풀다운(pull down) 트랜지스터로 형성되는 제1 인버터;제2 풀업(pull up) 트랜지스터에 연결되는 제2 풀다운(pull down) 트랜지스터로 형성되는 제2 인버터;상기 제1 인버터의 출력과 비트라인바 노드 사이에 연결되는 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자로 이루어지는 제1 패스 게이트(pass gate); 및상기 제2 인버터의 출력과 비트라인 노드 사이에 연결되는 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자로 이루어지는 제2 패스 게이트(pass gate)를 포함하고,상기 제1 패스 게이트 또는 제2 패스 게이트를 이루는 비휘발성 메모리 소자는 상기 SRAM의 프리차지(Precharge)를 통해 비트라인 노드 또는 비트라인바 노드에 인가되는 전압과, 상기 SRAM의 워드라인 노드에 인가되는 전압을 이용하여 상기 제1 인버터 또는 제2 인버터의 출력 전압 간의 전압 차이로 인해 HEI(Hot electron injection)가 발생하여 상기 비휘발성 메모리 소자의 플로팅 게이트(Floating gate)가 전하로 차지(charge)됨으로써 비휘발성 메모리 소자의 데이터 스토어가 이루어지고, 상기 워드라인 노드에 반대 극성의 전압을 인가하여 플로팅 게이트에 차지된 전하를 제거하는 것을 특징으로 하는 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3521484000342