스트레처블 N-doped 그래핀 TFT 및 이의 제조방법

출원번호 : 10-2020-0102162 (출원일: 2020-08-14)

등록번호 : 10-2417812 (등록일: 2022-07-01)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 접촉하는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층의 일부 영역에 위치하여 질소 도핑된 그래핀층을 포함하여 채널로 사용되는 활성층, 상기 활성층의 일측에 접촉하는 제1 전극 및 상기 활성층의 타측에 접촉하는 제2 전극을 포함하며, 상기 게이트 절연층은 신축성이 있는 고분자소재로 제공되는 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT

대표청구항 : 게이트 전극;상기 게이트 전극 위에 접촉하는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층의 일부 영역에 위치하여 질소 도핑된 그래핀층을 포함하여 채널로 사용되는 활성층;상기 활성층의 일측에 접촉하는 제1 전극; 및상기 활성층의 타측에 접촉하는 제2 전극;을 포함하며, 상기 게이트 절연층은 신축성이 있는 고분자소재로 제공되고, TFT에서 상기 채널과 수평한 방향인 수평방향 또는 상기 채널에 수직한 방향인 수직방향 중 어느 하나의 방향으로 120% 인장 시 점멸비(On/off ratio)가 1.4×108을 초과하는 것을 특징으로 하는, 스트레처블 N-doped 그래핀 TFT.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3522282001034