볼텍스 기반 적층조립법을 적용한 투명 전극 및 이의 제조방법(TRANSPARENT ELECTRODES BY VORTEX-ASSISTED LAYER-BY-LAYER ASSEMBLY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME)

출원번호 : 10-2017-0050019 (2017년04월18일)

등록번호 : 10-1967622 (2019년04월04일)

특허권자 : 명지대학교 산학협력단

요약 :

본 발명은 볼텍스 기반 적층조립법을 적용한 투명 전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 유연성을 갖는 투명 기재 상에 금속 나노와이어를 균일하게 적층시킬 수 있는 투명 전극의 제조방법과 및 상기 방법으로 제조된 투명 전극에 관한 것이다.

본 발명에 따른 투명 전극은 볼텍스 기반 적층조립법을 통해 금속 나노와이어를 투명 기재 상에 균일하게 적층시킬 수 있다. 아울러, 금속 나노와이어의 적층 횟수에 따라 투명 전극의 투명도와 전도도를 조절할 수 있으며, 여러 번 접혀져도 전극의 성능을 유지할 수 있다.

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