출원번호 : 1020120128862 (2012.11.14)
등록번호 : 1015541700000 (2015.09.14)
특허권자 : 서강대학교 산학협력단
요약 : 본 발명은 이온전도성 고분자전해질막 캐스팅 과정 중 극성 양자성 용매의 상분리 향상 효과에 따른 이온채널의 크기 및 이온전도도를 조절하는 이온전도성 고분자전해질막 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
1020160042906₩29,250,000
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