광전소자에 적용 가능한 유무기 혼성 나노와이어 및 이의 제조방법

출원번호 : 10-2016-0116754 (출원일: 2016-09-09)

등록번호 : 10-1714342 (등록일: 2017-03-03)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 높은 에너지 변환효율을 구현할 수 있는 광전 소자로 적용가능한 것으로, p형 전도성 고분자 및 n형 양자점이 일차원 교대 배열을 가지는 이종의 유무기 혼성 나노와이어 및 이를 효율적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.

대표청구항 : 공액 고분자 및 양자점을 제1 용매에 용해시킨 혼합 용액에, 상기 혼합 용액과 층분리를 형성하는 제2 용매를 첨가하여 층분리된 계면에서 상기 공액 고분자의 자기조립에 의해 나노와이어가 성장하도록 하는 유무기 혼성 나노와이어의 제조방법으로, 상기 제2 용매를 적하 방식으로 첨가하여 상기 혼합 용액과 층분리를 통해 형성된 제2용매층과 계면을 형성하고, 상기 제1 용매와 제2 용매가 하기 관계식 1을 만족하는 것을 포함하는 유무기 혼성 나노와이어의 제조방법. [관계식 1]3.5 ≤ Δδ12 ≤ 10.0(상기 식에서, Δδ12는 δt1 및δt2의 한센 용해도 지수((Hansen solubility parameter)의 차이이며, δt1 및 δt2는 각각 제1 용매 및 제2 용매의 한센 용해도 지수((Hansen solubility parameter)를 의미한다.)

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3517112001508