나노결정이 산화막에 임베딩된 발광다이오드 소자 및 그의 제조방법

출원번호 : 10-2008-0135430 (출원일: 2008-12-29)

등록번호 : 10-1043247 (등록일: 2011-06-15)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 반도체 나노결정을 산화물에 임베딩시킨 구조의 발광다이오드 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 p-형 Si 기판상에 형성된 n-형 TiO2 박막 내에 나노결정이 임베딩된 구조이며, 가시광선 발광다이오드 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.또한 본 발명에 의하면, 대면적의 Si 웨이퍼 위에서 저비용으로 우수한 광발광 특성을 가진 포토닉스 소자 및 전자소자와 포토닉스 소자가 집적된 소자를 생산할 수 있게 된다.

대표청구항 : p-형 Si 기판상에 형성된 n-형 TiO2 박막 내에 나노결정이 임베딩된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3511252000883