나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조의 고감도 자외선 감지 소자형 자외선 센서 및 그 제조방법

출원번호 : 10-2018-0015737 (출원일: 2018-02-08)

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특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조의 고감도 자외선 감지 소자형 자외선 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 나노구조체가 자외선 영역의 흡수를 향상시키면서, 트랜지스터 구조를 적용하여 고감도의 자외선 측정이 가능한 나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조의 고감도 자외선 감지 소자형 자외선 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 자외선 측정에 있어 나노 구조체와 트랜지스터 구조를 결합하여 광의 세기가 작을 때에도 감지할 수 있어 전체적인 자외선 센서의 감도를 향상시키는 장점을 제공하게 된다. 또한, 평면형 2단자인 자외선센서 구조에 나노 로드(바람직하게는 산화아연 나노 로드)와 트랜지스터 구조를 적용시킴으로써, 자외선의 흡수 특성을 향상시키면서, 고감도의 측정이 가능한 자외선센서를 제공하게 된다.

대표청구항 : 나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조의 고감도 자외선 감지 소자형 자외선 센서(100)에 있어서,기판(120)과,상기 기판의 하면에 형성되는 제1 전극(110)과,상기 기판의 상면에 형성되는 절연층(130)과,상기 절연층의 상면에 자외선을 흡수하는 특성을 지닌 물질로 형성되는 자외선 흡수층(140)과,상기 자외선 흡수층의 상면 어느 일측의 제1 영역(151)에 형성되는 제2 전극(150)과,상기 자외선 흡수층의 상면 타측의 제2 영역(161)에 형성되는 제3 전극(160)과,상기 자외선 흡수층의 상면 중 제1 영역과 제2 영역 사이의 제3 영역(171)에 형성되어 있으며, 복수 개의 금속 산화물 나노 로드(170a ~ 170n)를 포함하는 나노 로드층(170)을 포함하여 구성되며,상기 자외선흡수층(140)은,산화아연으로 형성된 산화아연층인 것을 특징으로 하고, 상기 자외선흡수층(140) 일측에 일정 깊이로 형성되는 산화아연 시드층(145, seed layer)을 포함하며, 상기 산화아연 시드층(145)을 통해 상기 제2 전극(150)에서 상기 제3 전극(160)으로 전류를 이동시키는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조의 고감도 자외선 감지 소자형 자외선 센서.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3520024000723