반도체 및 스위칭 소자 이종접합을 이용한 급경사 트랜지스터(Semiconductor and Switching material Hetero-junction steep-slope Transistor)

출원번호 : 10-2016-0007932 (2016년01월22일)

등록번호 : 10-1780580 (2017년09월14일)

특허권자 : 한경대학교 산학협력단

요약 :

반도체 및 스위칭 소자 이종접합을 이용한 급경사 트랜지스터 및 그 제조 방법이 제시된다. 본 발명에서 제안하는 반도체 및 스위칭 소자 이종접합을 이용한 급경사 트랜지스터는 P형 물질 또는 n형 물질 중 어느 하나의 물질로 도핑 된 반도체 또는 금속성의 소스 및 드레인, 상기 소스 및 상기 드레인 사이에 위치하고 반도체 재료 및 스위칭 재료를 접합함으로써 반도체 영역 및 스위칭 영역을 포함하는 채널, 상기 채널의 반도체 영역을 제어하는 게이트를 포함한다.

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