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출원번호 : 10-2016-0012470 (2016년02월01일)
등록번호 : 10-1818019 (2018년01월08일)
특허권자 : 명지대학교 산학협력단
요약 :
본 발명은 새로운 형태의 멤캐패시터 소자에 관한 것으로, 반도체 기판; 상기 반도체 기판 위에 형성된 산화물층; 및 상기 산화물층 위에 형성된 산소 활성 전극으로 구성되며, 상기 산소 활성 전극에 전압이 인가되면, 상기 산화물층의 산소 이온이 상기 산소 활성 전극 쪽으로 이동함으로써 전기용량이 변하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 산소 활성 전극을 구비함으로써 산화물층 내에 위치하는 산소 이온의 이동을 유발하여 유전율을 변화시키고 최종적으로 전기용량이 변화하는 새로운 형태의 멤캐패시터를 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 멤캐패시터 소자의 멤캐패시턴스 특성을 메모리 소자나 논리 소자 또는 신경소자에 적용할 수 있는 효과가 있다.
나아가 본 발명의 멤캐패시터 소자를 적용한 메모리 소자나 논리 소자 또는 신경소자의 경우에, 종래의 전하 저장방식에 발생하던 정보 손실 문제와 방사선에 의해 파괴되는 문제가 해결된 뛰어난 특성을 나타낸다.
1020160012470B1
