산화아연 나노와이어의 제조장치 및 제조방법

출원번호 : 10-2017-0066154 (출원일: 2017-05-29)

등록번호 : 10-1877319 (등록일: 2018-07-05)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 산화아연 나노와이어의 제조장치 및 방법이 개시되어 있다. 본 발명은, 실리콘 기판 상부에 탄소 촉매층을 형성하는 단계; 및 상기 탄소 촉매층에 산화아연 증기를 열화학 기상 증착방법을 통해서 증착시켜서 다수의 산화아연 나노와이어를 상기 실리콘 기판에 대해 수직방향으로 성장시키는 단계:를 포함하는 것을 특징으로 한다.

대표청구항 : 실리콘 기판 상부에 탄소 촉매층을 형성하는 단계; 및상기 탄소 촉매층에 산화아연 증기를 열화학 기상 증착방법을 통해서 증착시켜서 다수의 산화아연 나노와이어를 상기 실리콘 기판에 대해 수직방향으로 성장시키는 단계:를 포함하며,상기 탄소 촉매층을 형성하는 단계는,세라믹튜브의 내부에 탄소가루와 실리콘 기판이 담긴 알루미나 보트를 위치시키는 단계;질량 유량 제어기를 통해서 이송가스로서 질소가스를 1 LPM(체류시간 184 ms)의 유량으로 유동시키고, 퍼니스의 온도를 1,100 ℃ 이상으로 가열하는 단계; 및이송가스인 질소가스가 탄소가루로부터 생성된 탄소 증기를 통해서 상기 실리콘 기판에 탄소 필름을 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노와이어의 제조방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3518284000541