아연주석질소 단결정박막의 제조방법

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특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 다양한 종류의 기판에 규칙적인 결정격자 구조를 갖는 단결정 박막을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 간단한 조건의 조절만으로 밴드갭을 용이하게 조절할 수 있는 아연주석질소 단결정박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 기판 상에 우르츠광 구조의 ZnO 단결정 박막 버퍼층을 형성하는 단계; 및 (B) ZnO 버퍼층 상에 ZnSnN2 단결정 박막을 에피 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnSnN2 단결정 박막의 제조방법에 관한 것이다.

대표청구항 : (A) 기판 상에 우르츠광 구조의 ZnO 단결정 박막 버퍼층을 형성하는 단계; 및(B) ZnO 버퍼층 상에 ZnSnN2 단결정 박막을 에피 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnSnN2 단결정 박막의 제조방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3519144000571