음의 고정 산화막 전하 밀도 제어를 위한 다층 산화막 및 그 제조 방법 그리고 이를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법

출원번호 : 10-2014-0023252 (출원일: 2014-02-27)

등록번호 : 10-1525419 (등록일: 2015-05-28)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 음의 고정 산화막 전하 밀도 제어를 위한 다층 산화막이 제공된다. 다층 산화막은 제1 알루미늄 산화막 및 제2 알루미늄 산화막 그리고 이들 사이에 삽입된 실리콘 산화막을 포함한다.

대표청구항 : 반도체 기판 상에 접촉되는 제1 알루미늄 산화막; 상기 제1 알루미늄 산화막 위에 형성된 실리콘 산화막; 그리고,상기 실리콘 산화막 위에 형성된 제2 알루미늄 산화막을 포함하며,상기 제1 알루미늄 산화막은 상기 제2 알루미늄 산화막보다 얇게 형성되고,상기 제1 알루미늄 산화막은 0.5 ~ 10nm 두께로 형성되고, 상기 실리콘 산화막은 0.5 ~ 10nm두께로 형성되며,상기 제 1 알루미늄 산화막은 음의 전하를 띈 4면체 구조의 AlO4-및 양의 전하를 띈 팔면체 구조의 Al3+를 포함하고,상기 제 1 알루미늄 산화막에서 상기 AlO4-는 상기 Al3+보다 분자수가 많은 다층 산화막.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3515242001004