저마나이드 형성 방법 및 그 저마나이드를 포함하는 반도체 소자

출원번호 : 10-2015-0056635 (출원일: 2015-04-22)

등록번호 : 10-1771173 (등록일: 2017-08-18)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 접촉저항을 낮출 수 있는 저마나이드 형성 방법 및 저마나이드를 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 저마나이드 형성 방법은 게르마늄(Ge) 기판 상에 안티모니 층을 증착하는 단계; 상기 안티모니 층 상에 금속 층을 증착하는 단계; 및 상기 금속 층이 증착된 기판을 열처리하는 단계;를 포함할 수 있다.

대표청구항 : 게르마늄 기판 상에 안티모니를 증착하여 상기 게르마늄 기판 상에 접촉된 안티모니 층을 형성하는 단계;상기 안티모니 층 상에 금속을 증착하여 금속 층을 형성하는 단계; 및 상기 금속 층이 형성된 상기 게르마늄 기판을 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 금속 층은 니켈을 포함하며,상기 안티모니 층 상에 금속을 증착하여 금속 층을 형성하는 단계는,상기 안티모니 층과 상기 금속 층의 두께 비가 4:5 내지 1:3의 비율이 되도록 금속 층을 형성하고,상기 열처리시 상기 안티모니 층의 안티모니는 상기 게르마늄 기판에 도펀트로 첨가되며, 상기 안티모니가 도핑된 게르마늄 기판 상에 접촉된 니켈저마나이드(NiGe)가 형성되는 저마나이드 형성 방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3517344000318