전하선택 박막을 포함하는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법

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특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법은, 제1 도전성 타입의 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 상면에 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 단계와, 상기 에미터층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계와, 상기 패시베이션층 상에 반사 방지막을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 하부에 전하선택 박막을 형성하는 단계와, 상기 전하선택 박막의 하부에 투명층을 형성하는 단계와, 상기 투명층의 하면에 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 에미터층과 전기적으로 접속되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

대표청구항 : 제1 도전성 타입의 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판의 상면에 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 단계;상기 에미터층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 패시베이션층 상에 반사 방지막을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 하부에 전하선택 박막을 형성하는 단계;상기 전하선택 박막의 하부에 투명층을 형성하는 단계;상기 투명층의 하면에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 에미터층과 전기적으로 접속되는 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 전하선택 박막을 형성하는 단계에서,상기 실리콘 기판의 하면에 제1 금속 산화막을 형성하고, 상기 제1 금속 산화막의 하면에 제2 금속 산화막을 형성하고, 상기 제2 금속 산화막의 하면에 제3 금속 산화막을 형성하며,상기 제1 금속 산화막은 산화 알루미늄(Al2O3) 또는 알루미늄 실리케이트(Al-Si-O)로 형성되며, 상기 실리콘 기판의 하면에 접하도록 형성되어 상기 실리콘 기판과 상기 제 1 금속 산화막 사이의 결함을 감소시키며,상기 제2 금속 산화막은 산화 몰리브덴(MoOx)으로 형성되며,상기 제3 금속 산화막은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성되어 상기 제 2 금속 산화막이 상기 투명층과 직접 접촉되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법.

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