전하선택 박막을 포함하는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법

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출원번호 : 10-2018-0141692 (출원일: 2018-11-16)

등록번호 : 10-2218629 (등록일: 2021-02-16)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명의 전하선택 박막을 포함하는 실리콘 태양전지는, 제1 도전성 타입의 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판의 상면에 배치된 제2 도전성 타입의 에미터층과, 상기 에미터층 상부에 배치된 반사 방지막과, 상기 실리콘 기판의 하부에 배치된 전하선택 박막과, 상기 전하선택 박막의 하부에 배치된 투명층과, 상기 투명층의 하면에 배치된 제1 전극과, 상기 에미터층과 전기적으로 접속되는 제2 전극을 포함한다.

대표청구항 : 제1 도전성 타입의 실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 상면에 배치된 제2 도전성 타입의 에미터층;상기 에미터층 상부에 배치된 반사 방지막;상기 실리콘 기판의 하부에 배치된 전하선택 박막;상기 전하선택 박막의 하부에 배치된 투명층;상기 투명층의 하면에 배치된 제1 전극; 및상기 에미터층과 전기적으로 접속되는 제2 전극;을 포함하며,상기 전하선택 박막은,상기 실리콘 기판의 하면에 배치되며, 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성된 제1 금속 산화막;상기 제1 금속 산화막의 하면에 배치되며, 산화 몰리브덴(MoOx)으로 형성된 제2 금속 산화막; 및상기 제2 금속 산화막의 하면에 배치되며, 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성된 제3 금속 산화막;을 포함하며,상기 투명층은 ITO(Indium Tin Oxide)으로 형성되며,상기 제3 금속 산화막은 상기 제2 금속 산화막과 투명층이 직접 접촉하지 않도록하여 상기 투명층이 증착되면서 상기 제2 금속 산화막의 산화 몰리브덴(MoOx)의 조성이 변화되는 것을 방지하는 실리콘 태양전지.

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