정합 특성 향상을 위한 쌍극성 접합 트랜지스터

출원번호 : 10-2014-0010042 (출원일: 2014-01-28)

등록번호 : 10-1519548 (등록일: 2015-05-06)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 정합 특성 향상을 위한 쌍극성 접합 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 쌍극성 접합 트랜지스터는, 기판 상에 형성되는 이미터 영역; 상기 기판 상에서 상기 이미터 영역으로부터 이격되어 형성되는 베이스 영역; 및 상기 기판 상에서 상기 이미터 영역 및 상기 베이스 영역으로부터 이격되어 형성되는 컬렉터 영역;을 포함할 수 있다.

대표청구항 : 기판 상에 형성되는 이미터 영역;상기 기판 상에서 상기 이미터 영역으로부터 이격되어 형성되는 베이스 영역; 및상기 기판 상에서 상기 이미터 영역 및 상기 베이스 영역으로부터 이격되어 형성되는 컬렉터 영역;을 포함하는며,상기 베이스 영역은 상기 기판 상에서 상기 이미터 영역으로부터 제 1 방향으로 이격되어 형성되고,상기 컬렉터 영역은 상기 기판 상에서 상기 이미터 영역 및 상기 베이스 영역으로부터 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 이격되어 형성되고,상기 베이스 영역은:상기 기판 상에서 상기 이미터 영역으로부터 제 1 방향으로 이격되어 형성되는 제 1 베이스 영역; 및상기 기판 상에서 상기 이미터 영역으로부터 상기 제 1 방향에 반대되는 제 3 방향으로 이격되어 형성되는 제 2 베이스 영역을 포함하고,상기 컬렉터 영역은:상기 기판 상에서 상기 이미터 영역 및 상기 베이스 영역으로부터 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 이격되어 형성되는 제 1 컬렉터 영역; 및상기 기판 상에서 상기 이미터 영역 및 상기 베이스 영역으로부터 상기 제 2 방향에 반대되는 제 4 방향으로 이격되어 형성되는 제 2 컬렉터 영역;을 포함하며,상기 컬렉터 영역은 상기 제 1 방향으로 연장되며,상기 컬렉터 영역의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 베이스 영역과 상기 제 2 베이스 영역 사이 간격보다 큰 쌍극성 접합 트랜지스터.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3515204000546