초상자성 단일 비드의 자화율 측정방법

출원번호 : 10-2012-0040982 (출원일: 2012-04-19)

등록번호 : 10-1405392 (등록일: 2014-06-02)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명은 십자형으로 돌출된 암(arm)을 갖는 평면 홀 저항 센서의 활성접합부(active function)의 암(arm) 길이를 조절하여 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 감도를 향상시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 십자형으로 돌출된 암(arm)을 갖는 평면 홀 저항 센서의 활성접합부(active function)의 암(arm) 길이를 조절하는 방법은 외부에서 인가된 자기장의 세기, 활성접합부의 모양 등과 관계없이, 외부자기장과 센서에서의 평균 유효자기장의 세기를 최대한 같아지도록 조절할 수 있어, 종래 초전도 양자 간섭 소자 및 진동 시료 자력계에서 측정 불가능한 초상자성 단일 비드 각각의 자화율을 측정할 수 있다.

대표청구항 : 십자형으로 돌출된 암(arm)을 갖는 평면 홀 저항 센서의 활성접합부(active function)의 암(arm) 길이를 조절하되, 표유자기장의 영향을 최소화시킴으로써 하기 수학식 1로 표시되는 유효자기장과 인가된 외부자기장의 세기가 최대한 같아지도록 상기 활성접합부로부터 돌출된 암 길이를 조절하는 것을 특징으로 하는 초상자성 단일 비드의 자화율 측정 방법:<수학식 1>[이미지](상기 식에서 Heff는 센서에서의 유효자기장이고, Happ는 인가된 외부자기장이고, Hstray는 자화된 자기 비드로부터 발생하는 표유자기장이다).

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3514252002297