콘택 형성 방법

출원번호 : 10-2016-0044787

등록번호 : 10-1726995

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 반도체 소자 콘택 형성 방법에 관한 것이다. 그 방법은 인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판에 소오스 전극, 드레인 전극 및 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 팔라듐층을 적층시키는 단계; 상기 팔라듐층 상에 니켈층을 적층시키는 단계; 상기 팔라듐층 및 니켈층이 적층된 인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판을 열처리하는 단계, 및 상기 열처리를 통해 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 각각 니켈-팔라듐-인듐갈륨아세나이드 합금 콘택을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 콘택을 니켈-팔라듐-인듐갈륨아세나이드 합금으로 하는 것에 의해 콘택의 열한정성을 향상시킬 수 있다.

대표청구항 : N-type InGaAs(N형 인듐갈륨아세나이드) 기판 제조과정 중, InGaAs에 게이트 전극을 형성하고, 소오스 전극 및 드레인 전극이 형성될 영역을 마련하는 단계와; 상기 영역에 팔라듐층 및 니켈층을 순차적으로 적층시키는 단계와; 상기 팔라듐층 및 니켈층이 적층된 InGaAs를 열처리하는 단계; 및상기 열처리를 통해 상기 영역에 니켈-팔라듐-InGaAs 합금 콘택을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 팔라듐층 및 니켈층의 적층은 스퍼터링 공정으로 적층시키되, 상기 팔라듐층은 상기 InGaAs 보다 얇게 적층되는 것을 특징으로 하는 콘택 형성 방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3517162001110