플래시 메모리 소자 및 그의 제조 방법

출원번호 : 10-2019-0087741 (출원일: 2019-07-19)

등록번호 : 10-2205405 (등록일: 2021-01-14)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명의 플래시 메모리 소자는 반도체 기판의 채널 영역상에 형성된 터널링 절연막; 상기 터널링 절연막상에 형성된, 다층 구조를 갖는 전하 저장층; 상기 전하 저장층상에 형성된 콘트롤 게이트를 구비한다. 상기 전하 저장층은 전하 트랩핑 구조를 갖는 제1막; 및 상기 제1막보다 높은 유전율과 낮은 에너지 레벨을 갖는 제2막을 구비하고, 상기 제1막과 제2막의 유전율을 변화시켜 상기 전하 저장층의 전기장을 제어하거나 전도대 에너지 준위를 조정할 수 있다.

대표청구항 : 반도체 기판의 채널 영역상에 형성된 터널링 절연막;상기 터널링 절연막상에 형성된, 다층 구조를 갖는 전하 저장층;상기 전하 저장층상에 형성된 블록킹 절연막; 및상기 블록킹 절연막상에 형성된 콘트롤 게이트를 구비하며,상기 전하 저장층은 전하 트랩핑 구조를 갖으며, 상기 터널링 절연막상에 형성된 제1막; 및상기 제1막보다 높은 유전율과 낮은 에너지 레벨을 갖으며, 상기 제1막상에 형성된 제2막을 구비하되,상기 제1막과 제2막의 유전율을 변화시켜 상기 전하 저장층의 전기장 제어 및 전도대 에너지 준위를 조정하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3521042001116