Ｉｎ­Ｓｂ­Ｔｅ 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자

출원번호 : 10-2010-0007311 (출원일: 2010-01-27)

등록번호 : 10-1079784 (등록일: 2011-10-28)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 300℃ 이하의 저온에서 상변화 메모리 재료인 In-Sb-Te의 나노와이어를 제조할 수 있는 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리에 관한 것으로, 보다 구체적으로 In, Sb 및 Te 전구체의 증기를 진공 챔버 내의 기판 상에서 반응시키는 유기금속 화학증착법에 의하며, 상기 반응 시의 챔버 내의 압력이 7~15 Torr인 것을 특징으로 하는 유기금속 화학증착법에 의한 In-Sb-Te 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용한 상변화 메모리에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 종래 기술에 의한 상변화 소재인 GST의 대체물질인 IST 나노와이어를 300℃ 이하의 저온에서 대량으로 용이하게 제조할 수 있으므로 상변화 메모리 소자에 효율적으로 활용할 수 있다.

대표청구항 : In, Sb 및 Te 전구체의 증기를 진공 챔버 내의 기판 상에서 반응시키는 유기금속 화학증착법에 의하며, 상기 반응 시의 기판의 온도가 230~300℃, 챔버 내의 압력이 7~15Torr인 것을 특징으로 하는 유기금속 화학증착법에 의한 In-Sb-Te 나노와이어의 제조방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3511442001589