고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법

출원번호 : 10-2015-0120155 (출원일: 2015-08-26)

등록번호 : 10-1739291 (등록일: 2017-05-18)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 고가의 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 장비를 사용하지 않고, 패턴을 형성할 수 있는 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법 은, 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 베이스 필름을 형성하는 단계와, 상기 베이스 필름 상에 패턴이 형성된 마스크 필름을 형성하는 단계와, 상기 패턴을 상기 베이스 필름상에 전사시키는 단계와, 상기 마스크 필름을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

대표청구항 : 기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 고분자 물질을 포함하는 베이스 필름을 형성하는 단계;상기 베이스 필름 상에 패턴이 형성된 마스크 필름을 형성하는 단계;상기 패턴을 상기 베이스 필름 상에 전사시키는 단계; 및상기 마스크 필름을 제거하는 단계를 포함하고,상기 패턴은 상기 마스크 필름을 관통하여 형성되되, 상기 패턴과 중첩된 상기 베이스 필름 부분이 외부로 노출되고,상기 전사시키는 단계는,상기 마스크 필름, 상기 베이스 필름이 순차적으로 형성된 상기 기판을 진공챔버에 인입시키는 단계와,액체 상태의 패턴형성 물질을 기체 상태로 만들어 상기 기판이 인입된 상기 진공챔버 내에 유입시키는 단계와,상기 마스크 필름의 상기 패턴을 통해 상기 패턴형성 물질이 상기 베이스 필름 상에 적층되어 전사패턴을 형성하는 단계와,상기 전사패턴을 경화시키는 단계를 포함하는, 고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3517214000625