박막 트랜지스터의 제조방법

출원번호 : 10-2013-0021646 (출원일: 2013-02-28)

등록번호 : 10-1426646 (등록일: 2014-07-29)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 자기정렬 채널 형성방법, 동일 평면 게이트 형성기술, 바디 금속접촉 형성기술 및 반도체/금속 접합을 제어하는 중간층 형성기술을 이용한 박박 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.

대표청구항 : 박박 트랜지스터 제조방법에 있어서,마스크 수를 줄이기 위하여 자기정렬 채널 형성방법으로 소스, 드레인 및 채널층을 동시에 형성하는 단계 및컨덕턴스 및 문턱전압 제어를 위하여 상기 채널층을 산소 분위기하에서 후속 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3514322001675