ＳｂＴｅ 씨앗 나노선을 사용한 ＧｅＳｂＴｅ 나노선 제조법

출원번호 : 10-2009-0014614 (출원일: 2009-02-23)

등록번호 : 10-1067280 (등록일: 2011-09-19)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 기상-액상-고상(vapor-liquid-solid, VLS)법에 의한 GeSbTe 나노선의 제조 방법에 있어서 금(Au) 박막이 형성된 기판 상에 Sb2Te3(ST)를 공급하여 VLS 법에 의해 SbTe 씨앗 나노선(seed 나노선)을 성장시키는 단계; 및 상기 씨앗 나노선에 GeTe(GT)와 Sb2Te3(ST)를 동시에 공급하여 VLS 법에 의해 GeSbTe 나노선을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 GeSbTe 나노선의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면, Si 웨이퍼 기판 위에서 GST가 뭉치는 현상 없이 GST 나노선을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 제조되는 GST 나노선의 지름을 사용한 Au 금속 박막의 두께에 따라 균일하게 제어할 수 있다. 또한 본 발명에 의한 GST 나노선의 제조방법을 상변이 메모리 소자의 제조에 적용하면, 나노선 개개를 응용한 소자들의 특성을 균일하게 제어할 수 있다.

대표청구항 : 기상-액상-고상(vapor-liquid-solid, VLS)법에 의한 GeSbTe 나노선의 제조 방법에 있어서,금(Au) 박막이 형성된 기판 상에 Sb2Te3를 공급하여 VLS 법에 의해 SbTe 씨앗 나노선(seed 나노선)을 성장시키는 단계; 및상기 씨앗 나노선에 GeTe와 Sb2Te3를 동시에 공급하여 VLS 법에 의해 GeSbTe 나노선을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 GeSbTe 나노선의 제조 방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3511382000858