탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법

출원번호 : 10-2017-0103558 (출원일: 2017-08-16)

등록번호 : 10-1866384 (등록일: 2018-06-04)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 탄소 기판의 상면에서 하면으로 관통하는 복수 개의 비아홀을 형성하는 비아홀 형성 단계, 상기 탄소 기판의 상면과 상기 비아홀의 내주면에 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계, 상기 배리어막의 상면에 제 1 도전형 실리콘층을 형성하는 제 1 도전형 실리콘층 형성 단계, 상기 제 1 도전형 실리콘층의 상면에 진성 실리콘층을 형성하는 진성 실리콘층 형성 단계, 상기 진성 실리콘층의 상면에 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계, 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 단계, 상기 탄소 기판의 하면에 코팅되어 형성되며 상기 비어홀을 상기 제 1 도전형 실리콘층과 직접 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계 및 상기 반사 방지막의 상면에 상기 제 2 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계를 포함하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법을 개시한다.

대표청구항 : 탄소 기판의 상면에서 하면으로 관통하는 복수 개의 비아홀을 형성하는 비아홀 형성 단계;상기 탄소 기판의 상면과 상기 비아홀의 내주면에 SiOx막과 SiNx막을 교대로 적층하여 배리어막을 형성하되, 상기 배리어막의 최상층에 상기 SiNx막을 배치하는 배리어막 형성 단계;상기 배리어막의 상면에 제 1 도전형 실리콘층을 형성하는 제 1 도전형 실리콘층 형성 단계;상기 제 1 도전형 실리콘층의 상면에 진성 실리콘층을 형성하는 진성 실리콘층 형성 단계;상기 진성 실리콘층의 상면에 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계;상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 단계;상기 탄소 기판의 하면에 코팅되어 형성되며 상기 비아홀을 상기 제 1 도전형 실리콘층과 직접 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계; 및상기 반사 방지막의 상면에 상기 제 2 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계를 포함하고,상기 배리어막 형성 단계에서, 수소 함유량이 5% 이하가 되도록 상기 SiNx막을 형성하고,상기 제 1 도전형 실리콘층, 상기 진성 실리콘층 및 상기 제 2 도전형 실리콘을 형성하는 단계에서, 수소 함유량이 10% 이하가 되도록 상기 제 1 도전형 실리콘층, 상기 진성 실리콘층 및 상기 제 2 도전형 실리콘을 형성하고,상기 제1 도전형 실리콘층 및 상기 제2 도전형 실리콘층의 도핑량에 비례하여 상기 진성 실리콘층의 두께가 증가하고,상기 진성 실리콘층 및 상기 제2 도전형 실리콘층이 팬덤 구조로 형성되어 광 흡수층으로 작용하도록 하는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3518242001305