비휘발성 메모리의 임시 전력을 공급하는 자동 저장 회로

출원번호 : 10-2021-0004442 (출원일: 2021-01-13)

등록번호 : 10-2393577 (등록일: 2022-04-28)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은, 입력전압(Vdd)의 차단시 자동으로 비휘발성 메모리의 임시 전력을 공급하는 자동 저장(Auto-Store) 회로에 있어서, 입력전압(Vdd)이 인가되는 복수개의 반도체 스위치와, 입력전압(Vdd)의 온/오프(on/off) 상태에 따라 출력전압(Vout)을 가변시키기 위한 복수개의 커패시터를 포함하고, 복수개의 상기 반도체 스위치는, 입력전압(Vdd)의 온(on) 상태시 복수개의 상기 커패시터에 입력전압(Vdd)이 모두 인가되는 스위칭 상태를 제공하고, 복수개의 상기 커패시터는, 입력전압(Vdd)의 온(on) 상태시 다른 커패시터와 병렬의 전기적 경로를 형성하고, 입력전압(Vdd)의 오프(off) 상태시 다른 커패시터와 직렬의 전기적 경로를 형성하여, 입력전압(Vdd)의 차단시 입력전압(Vdd) 이상의 출력전압(Vout)이 출력되는 것을 특징으로 한다.

대표청구항 : 입력전압(Vdd)의 차단 시 자동으로 비휘발성 메모리의 임시 전력을 공급하는 자동 저장(Auto-Store) 회로에 있어서,입력전압(Vdd)이 인가되는 입력단에서 3개의 결선 경로가 형성되되, 제1 결선 경로에 마련된 다이오드(D1);게이트 단이 상기 입력단에 연결되고, 일단은 그라운드를 형성하며, 타단이 하기 제1, 2 커패시터(C1, C2) 사이에 분기점을 형성하도록 연결된 제2 결선 경로에 마련된 제1 반도체 스위치(M1);제3 결선 경로에 마련된 제2, 3 반도체 스위치(M2, M3); 상기 제1 결선 경로에 출력 노드를 형성하는 제1 커패시터(C1); 및일단이 그라운드를 형성하고, 타단이 상기 제2, 3 반도체 스위치(M2, M3)와 연결된 제2 커패시터(C2);를 포함하며, 상기 제2 반도체 스위치(M2)는, 게이트 단이 상기 입력단에 연결되고, 일단은 상기 제3 반도체 스위치(M3)의 게이트 단과 연결되며, 타단은 상기 제2 커패시터(C2)와 상기 제3 반도체 스위치(M3) 사이에 분기점을 형성하고,상기 제3 반도체 스위치(M3)는, 양 단이 상기 제1 커패시터(C1) 및 상기 제2 커패시터(C2)와 각각 연결되며,상기 제1, 2 반도체 스위치(M1, M2)는 NMOS 소자이며, 상기 제3 반도체 스위치(M3)는 PMOS 소자로서, 입력전압(Vdd)의 온(on) 상태 시 상기 제1 결선 경로와 상기 제3 결선 경로가 상기 제1, 2 커패시터(C1, C2)의 충전 경로가 되고, 입력전압(Vdd)의 오프(off) 상태 시 상기 제1 결선 경로에서 출력전압(Vout)이 형성되는 것을 특징으로 하는 자동 저장(Auto-Store) 회로.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3522194000495