출원번호 : 10-2020-0052008 (출원일: 2020-04-29)
등록번호 : 10-2328694 (등록일: 2021-11-15)
특허권자 : 충남대학교산학협력단
요약 : 본 발명은 촉매금속층; 및 상기 촉매금속층 일 면에 성장된 그래핀층;을 포함하는 적층구조가 하기 관계식 1을 만족하는 범위 내에서 순차적으로 반복 적층되는 다층 그래핀 적층체에 관한 것이다. [관계식 1] Rn/Rn-1×100 < 45
대표청구항 : 촉매금속층; 및상기 촉매금속층 일 면에 성장된 그래핀층;을 포함하는 적층 구조가 하기 관계식 1을 만족하는 범위 내에서 순차적으로 반복 적층되며, 상기 촉매금속층 및 상기 그래핀층은 동일한 장비 내에서 in-situ로 형성되며, 대향 타겟식 스퍼터링 시스템(FTS)과 플라즈마보조 열 화학기상증착(PATCVD)을 반복하여 적층된 결과, 상기 그래핀 적층체의 면 저항이 하기 관계식 2를 만족하는 범위 내에서 반복 적층되고, 상기 그래핀층이 3 내지 4층 적층하였을 때 투명도가 90% 이상인 것을 특징으로 하는, 다층 그래핀 적층체.[관계식 1]Rn/Rn-1×100 < 55 , n≥2(상기 관계식 1에서, n은 상기 적층 구조가 반복된 횟수이며, Rn은 상기 적층구조가 n번 반복되어 형성된 다층 그래핀 적층체의 면 저항(Ω/□)이며, Rn-1은 상기 적층구조가 n-1번 반복되어 형성된 다층 그래핀 적층체의 면 저항(Ω/□)이다.)[관계식 2]Rn/R1 ≤ 0.18, n≥3(상기 관계식 2에서, Rn은 상기 적층구조가 n번 반복되어 형성된 다층 그래핀 적층체의 면 저항(Ω/□)이다.)
상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3521474000973





