출원번호 : 10-2016-0094815 (2016년01월26일)
등록번호 : 10-1743512 (2017년05월30일)
특허권자 : 한밭대학교
요약 : 본 발명에 따른 화합물 반도체 태양전지의 제조방법은 메쉬형 전극이 구비된 투명 기판 상 투명 절연층을 형성하
는 단계; 상기 투명 절연층 상부에 네가티브 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 메쉬형 전극을 광 마스크로
하고, 상기 메쉬형 전극이 구비된 투명 기판의 일 면의 대향면을 광 입사측으로, 광을 조사하여, 네가티브 포토
레지스트층을 노광 및 현상하는 단계; 현상된 네가티브 포토레지스트를 에칭 마스크로, 투명 절연층을 에칭하는
단계; 및 현상된 네가티브 포토레지스트를 제거한 후, 에칭된 투명 절연층을 증착 마스크로, 화합물 반도체를 증
착하는 단계;를 포함한다.





