출원번호 : 1020140008066 (2014.01.23)
등록번호 : 1015571470000 (2015.09.24)
특허권자 : (주)지니아텍
요약 :
개시된 내용은 플라즈마 전극에 관한 것으로서, 입력교류전압에 의한 전기장을 토대로 내부로 투입되는 공기를 이온화시켜 1차 플라즈마를 발생시키며, 1차 플라즈마를 내부로 투입된 공기의 흐름에 따라 하부로 배출시키는 제 1 플라즈마 발생부, 그리고 제 1 플라즈마 발생부 하부에 구비되어, 제 1 플라즈마 발생부에서 발생하여 배출되는 1차 플라즈마와 내부로 투입되는 가스를 배합하고, 배합된 1차 플라즈마와 가스를 입력교류전압에 의한 전기장을 토대로 이온화시켜 2차 플라즈마를 발생시키며, 2차 플라즈마를 하부로 배출시키는 제 2 플라즈마 발생부로 구성된다. 그리고 제 2 플라즈마 발생부 하부에 구비되어, 제 2 플라즈마 발생부에서 발생하여 배출되는 2차 플라즈마에 내부로 투입되는 리액션가스를 혼합시켜 활성화시키고, 활성화된 표면처리용 플라즈마를 외부로 배출시키는 리액션가스 활성화부를 더 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명은 토치 전극과 DBD 전극이 가진 단점을 상쇄시키면서 대면적, 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 대면적, 고밀도의 플라즈마를 통해 작업대상물의 코팅작업 등을 신속하게 처리함은 물론, 고품질의 작업이 가능하다.
