강자성층/공간층/반강자성층의 3층 구조에 기반을 둔 고 자장 민감도 평면 홀 효과 센서

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판매특허요약 : 본 발명은 강자성층/공간층/반강자성층의 3층 구조에 기반을 둔 고 자장 민감도 평면 홀 효과 센서에 관한 것이다.

가격 : 없음

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출원번호 : 10-2010-0054238 (출원일: 2010-06-09)

등록번호 : 10-1166690 (등록일: 2012-07-12)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명의 일실시예에 따른 강자성층/공간층/반강자성층의 3층 구조에 기반을 둔 고 자장 민감도 평면 홀 효과 센서는, IrMn 및 NiO로 구성된 반강자성(AFM) 층, Cu, Ag, Au, Ru, 및 Ta으로 구성된 공간층(spacer), 및 NiFe 및 NiCo로 구성된 강자성(FM) 층으로 이루어는 것을 특징으로 한다.

대표청구항 : IrMn 및 NiO로 구성된 반강자성(AFM) 층, Cu, Ag, Au, Ru, 및 Ta으로 구성된 공간층(spacer), 및 NiFe 및 NiCo로 구성된 강자성(FM) 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강자성층/공간층/반강자성층의 3층 구조에 기반을 둔 평면 홀 효과(PHE: Planar Hall Effect) 센서.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3512292001037