출원번호 : 10-2016-0038182 (출원일: 2016-03-30)
출원번호 : 10-2016-0042319 (출원일: 2016-04-06)
등록번호 : 10-1831297 (등록일: 2018-02-14)
특허권자 : 충남대학교산학협력단
요약 : 본 발명에 따른 다공성 멤브레인 제조 방법은 고분자를 용매에 용해시킨 고분자 용액을 기판 상에 도포하여 고분자 박막을 형성하는 단계, 상기 형성된 고분자 박막에 상전이를 수행하여 다공성 고분자 박막을 제조하는 단계, 상기 제조된 다공성 고분자 박막에 방사선을 조사하여 상기 다공성 고분자 박막을 가교시키는 단계 및 상기 가교된 다공성 고분자 박막을 탄화시켜 다공성 탄소 멤브레인을 제조하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 전도성 재료의 합성 공정 없이 값싼 범용 고분자를 이용하여 전도성 다공성 탄소 멤브레인을 형성시킴으로써, 저렴하고 손쉽게 다양한 모양 및 크기의 전도성 탄소 재료들을 제조할 수 있고, 가교를 위한 가교제 등과 같은 첨가물을 필요로 하지 않으며, 공정이 매우 간단하고 깨끗하다는 장점이 있다.
대표청구항 : 고분자를 용매에 용해시킨 고분자 용액을 기판 상에 도포하여 고분자 박막을 형성하는 단계;상기 형성된 고분자 박막에 상전이를 수행하여 다공성 고분자 박막을 제조하는 단계;상기 제조된 다공성 고분자 박막에 상온에서 방사선을 조사하여 상기 다공성 고분자 박막을 가교시키는 단계; 및상기 가교된 다공성 고분자 박막을 탄화시켜 다공성 탄소 멤브레인을 제조하는 단계를 포함하며,상기 방사선은 이온빔이고,상기 이온빔의 조사 에너지는 50 keV 내지 1 MeV이고, 총 이온 조사량은 1×1014 내지 1×1017 ions/㎠로 조절되는 것을 특징으로 하는 다공성 탄소 멤브레인의 제조 방법.
상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3518084000550




