이온 빔 조사에 의한 교환 바이어스 특성 향상 방법

출원번호 : 10-2004-0037017 (출원일: 2004-05-24)

등록번호 : 10-0694170 (등록일: 2007-03-06)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 교환결합을 가지는 다층박막의 자성층에 이온 빔을 조사하여 교환 바이어스 특성 및 항자력을 향상시킬 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해, 다층박막의 표면에 소정의 에너지로 이온 빔을 조사하게 되면, 표면 근처에서 입자크기 및 격자의 변화를 일으키고, 교환결합층 사이에 반강자성 결합을 유발하고, 이에 따라 교환결합력이 증가하여 우수한 교환 바이어스 특성을 얻을 수 있고 항자력이 증가하게 된다.

대표청구항 : 강자성층, 반강자성층 및 강자성층의 순으로 적층된 구조를 가지며, 교환결합을 하는 다층 박막의 상부 강자성층에 아르곤(Ar) 이온빔을 300 eV 이상에서 1000 eV 이하의 에너지로 조사하여 스핀전자재료의 교환 바이어스 특성 및 항자력을 향상시키는 것을 특징으로 하는 이온 빔 조사에 의한 교환 바이어스 특성 향상 방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3507014003089