질소-도핑된 그래핀층을 활성층으로 포함하는 그래핀 기반의 TFT

출원번호 : 10-2019-0019924 (출원일: 2019-02-20)

등록번호 : 10-2212999 (등록일: 2021-02-01)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 질소-도핑된 그래핀층을 활성층으로 포함하는 고품질, 고기능성의 그래핀 기반의 TFT에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 게이트전극; 상기 게이트전극 위에 위치한 게이트절연층; 상기 게이트절연층 위의 일부 영역에 위치하며 질소-도핑 그래핀층을 포함하는 활성층; 상기 활성층의 일측 영역 위에 위치한 제1전극; 상기 활성층의 타측 영역 위에 위치한 제2전극;을 포함하는 그래핀 기반의 TFT에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 Ti 층 위에 그래핀을 직접 성장시키고 이를 remote 플라즈마로 데미지를 가한 후, 질소가스를 이용해 도핑하여 그래핀 활성층을 제조함으로써 매우 우수한 특성을 가지는 TFT를 얻을 수 있게 된다.

대표청구항 : 게이트전극;상기 게이트전극 위에 위치한 게이트절연층;상기 게이트절연층 위의 일부 영역에 위치하며, 무산소 분위기에서 상기 게이트 절연층 위에 Ti층이 증착된 후 연속해서 그래핀층이 직접 생성되고 도핑된 ‘질소-도핑 그래핀층/TiO2-x층’을 포함하는 활성층;상기 활성층의 일측 영역 위에 위치한 제1전극;상기 활성층의 타측 영역 위에 위치한 제2전극;을 포함하는 그래핀 기반의 TFT.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3521072000818