고유전막 및 이를 포함하는 반도체 또는 커패시터 소자

출원번호 : 10-2020-0071703 (출원일: 2020-06-12)

등록번호 : 10-2451638 (등록일: 2022-09-30)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 유전상수가 크고 누설전류가 낮으며 절연강도가 높아 고집적 소자의 제조에 유용한 신규한 고유전막 및 상기 고유전막을 포함하는 반도체와 커패시터 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유전상수가 10 이상인 비정질 탄화수소로 이루어진 것을 특징으로 하는 고유전막 및 이를 포함하는 반도체 또는 커패시터 소자에 관한 것이다.

대표청구항 : 유전상수가 10 이상인 비정질 탄화수소막인 것을 특징으로 하는 고유전막.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3522414000520