그라핀-산화물반도체 이종접합 소자 및 그의 제조방법

출원번호 : 10-2011-0008705 (출원일: 2011-01-28)

등록번호 : 10-1284059 (등록일: 2013-07-03)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 기판상에 화학기상증착법을 사용하여 그라핀을 직접 성장시켜 그라핀(전도체)/산화물반도체의 Schottky 접합 소자 및 그라핀 개질(도핑)에 의한 그라핀(p-type)/산화물반도체(n-type) 또는 그라핀(n-type)/산화물반도체(n-type) 이종 p-n 접합을 형성하는 반도체 소자 및 그 제조법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 다양한 산화물 또는 반도체 위에서 직접 그라핀을 성장시킬 수 있으므로 기계적 박리공정 또는 Cu 같은 금속기판 위에 성장 후 그라핀을 transferring 하는 복잡한 공정을 생략할 수 있어, 다양한 산화물 및 반도체와 그라핀(전도체)/산화물반도체의 Schottky 접합 소자나 그라핀(반도체)/산화물반도체의 이종접합 p-n 반도체소자를 간편하고 경제적으로 제작할 수 있게 된다.

대표청구항 : (A) 지지판 상에 산화물 또는 반도체의 박막, 나노선, 나노로드, 나노튜브, 나노벨트 또는 나노입자 구조를 성장시키는 단계;(B) 이어서 메탄올, 에탄올 또는 아세톤을 소스로 사용하여 900~1300℃에서 기상증착법으로 상기 지지판 상의 산화물 또는 반도체의 박막, 나노선, 나노로드, 나노튜브, 나노벨트 또는 나노입자 구조 위에 그라핀을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 Schottky 접합 소자의 제조방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3513302000579