그래핀 기반의 P-type FET 제조방법 및 이를 이용한 P-type FET

출원번호 : 10-2021-0043885 (출원일: 2021-04-05)

등록번호 : 10-2463561 (등록일: 2022-11-01)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 a) 무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 단계 b) 무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 단계 c) 플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 단계 및 d) 상기 결함이 형성된 그래핀층을 보론을 도핑하는 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하되, 상기 a) 내지 c) 단계는 화학기상증착(CVD)장치 내에서 수행되며, 상기 d) 단계는 스퍼터 장치 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 P-type FET 제조방법에 관한 것이다.

대표청구항 : 무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 a) 단계;무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 b) 단계;플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 c) 단계; 및상기 결함이 형성된 그래핀층을 보론을 도핑하는 d) 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하되, 상기 a) 내지 c) 단계는 화학기상증착(CVD)장치 내에서 수행되며, 상기 d) 단계는 대향 타겟식 스퍼터링 시스템(Facing target sputtering system) 장치 내에서 수행된 결과, 전류점멸비(Ion/Ioff) 가 1.0 x 104 이상, 전기전하이동도(Mobility)가 100㎠/V·s 이상, 문턱전압(Vth)이 1.4V 이하, 서브문턱 스윙(Subthreshold Swing)은 0.7V/decade 이하이며, 1.0eV 미만의 밴드갭을 가지는 것을 특징으로 하는, 그래핀 기반의 P-type FET 제조방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3522462001059