출원번호 : 10-2017-0044768 (출원일: 2017-04-06)
등록번호 : 10-1905801 (등록일: 2018-10-01)
특허권자 : 충남대학교산학협력단
요약 : 본 발명은 그래핀 층 상에 선택적으로 은 나노선을 직접 성장시킬 수 있어 그래핀-은 나노선 하이브리드 패턴의 형성에 적용할 수 있는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 기판 상에 그래핀 층을 형성하는 단계; (B) 그래핀 층이 형성된 기판을 은 나노입자의 전구체 용액에 침지하는 단계; 및 (C) 상기 은 나노입자의 전구체 용액에 구연산염을 가하여 환원시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법에 관한 것이다.
대표청구항 : (A) 기판 상에 그래핀 층을 형성하는 단계;(B) 그래핀 층이 형성된 기판을 은 나노입자의 전구체 용액에 침지하는 단계; 및(C) 상기 은 나노입자의 전구체 용액에 구연산염을 가하여 환원시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법.
상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3518412000795





