출원번호 : 10-2014-0011368 (출원일: 2014-01-29)
등록번호 : 10-1561503 (등록일: 2015-10-13)
특허권자 : 충남대학교산학협력단
요약 : 본 발명에서는 다공성 기재의 표면에, 친수성 단일중합체의 적층과 양친매성 블록 공중합체의 적층을 교대로 반복하여 친수성 단일중합체와 양친매성 블록 공중합체의 교대 적층체로 형성된 고분자 다층막을 준비하는 단계; 상기 수득된 고분자 다층막을 어닐링하여 미세 상분리된 고분자막을 준비하는 단계; 및 상기 고분자막에서 친수성 단일 중합체를 선택적으로 제거하여 기공을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 제조방법에 따르면 박막의 안정성, 나노 기공의 균일성이 우수하면서도, 균일한 두께의 대면적 박막을 제조할 수 있고, 또한, 박막이 적층되는 기재의 표면이 굴곡을 가지는 경우에라도 제한 없이 다양한 형태에 적용할 수 있는 다공성 박막을 제조할 수 있다.
대표청구항 : 다공성 기재의 표면에, 친수성 단일중합체의 적층과 양친매성 블록 공중합체의 적층을 교대로 반복하여 친수성 단일중합체와 양친매성 블록 공중합체의 교대 적층체로 형성된 고분자 다층막을 준비하는 단계;상기 수득된 고분자 다층막을 어닐링하여 양친매성 블록 공중합체가 매트릭스(matrix)가 되고, 친수성 단일 중합체가 분산상(domain)으로 존재하는 미세 상분리된 고분자막을 준비하는 단계; 및상기 고분자막에서 친수성 단일 중합체를 선택적으로 제거하여 기공을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 기재의 표면에 형성된 다공성 박막의 제조방법.
상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3515432000679




