독립 게이트 터널링 전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법(Independent gate tunneling field-effect transistor and method for manufacturing thereof)

출원번호 : 10-2016-0065526 (2016년05월27일)

등록번호 : 10-1790237 (2017년10월19일)

특허권자 : 한경대학교 산학협력단

요약 :

본 발명은 독립 게이트 터널링 전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법을 개시한다. 즉, 본 발명은 기판의 상부 및 하부에 각각 형성되는 복수의 게이트에 의해 터널링이 일어나는 면적을 증가시킴으로써, 온 전류(on current)를 증가시킴에 따라 작은 누설 전류에 의한 저전력 응용에 적합하고, MOSFET에 비해서 낮은 구동 전류를 제공할 수 있다.

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