모스펫의 접촉저항 감소 방법

출원번호 : 10-2015-0110063 (출원일: 2015-08-04)

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특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 모스펫의 콘택이 텔루륨-니켈-인듀인듐갈륨아세나이드로 형성되어 접촉저항을 감소시키는 기술에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본발명의 콘택은 인듐갈륨아세아니드가 적층된 기판의 소오스 및 드레인 영역에 텔루륨층과 니켈층을 적층하고 열처리하여 얻어진다. 본 발명의 실시 예에 따른 콘택의 접촉저항은 니켈-인듀인듐갈륨아세나이드로 형성된 콘택에 비해 현저하게 낮다.

대표청구항 : 인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판에 소오스 및 드레인 영역과 게이트전극을 형성하는 단계;상기 소오스 및 드레인 영역 상에 텔루륨층을 1~15nm 범위의 두께로 적층시키는 단계;상기 텔루륨층 상에 니켈층을 15~40nm 범위의 두께로 적층시키는 단계;상기 텔루륨층 및 니켈층이 적층된 인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판을 250℃~330℃ 범위의 온도에서 10초 ~ 150초 범위의 시간 동안 열처리하는 단계, 그리고상기 열처리를 통해 상기 소오스 및 드레인 영역 상에 각각 텔루륨-니켈-인듐갈륨아세나이드 합금 콘택을 형성하는 단계;를 포함하는 모스펫의 접촉저항 감소 방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3517254000337