모스펫 제조 방법

출원번호 : 10-2017-0126080 (출원일: 2017-09-28)

등록번호 : 10-1967064 (등록일: 2019-04-02)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명의 실시예가 해결하려는 과제는, 콘택의 접촉저항을 감소시키는 모스펫 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 모스펫 제조 방법은 인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극의 양측 기판에 소스/드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 영역 상에 게더링층, 합금용 희생층 및 보호층을 차례로 적층하는 단계; 열처리 공정을 진행하여 상기 소스/드레인 영역에 합금을 형성하고 동시에 상기 소스/드레인 영역 내의 산소를 게더링층과 결합시키는 단계; 및 합금이 형성된 상기 소스/드레인 영역 상에 잔류하는 상기 게더링층, 합금용 희생층 및 보호층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 상술한 본 발명의 실시예들에 의한 모스펫 제조 방법은 막 내의 산소의 함유량을 감소시키고 결과적으로, 막 내 합금의 함유량을 증가시켜 콘택의 접촉저항이 감소되는 효과가 있다.

대표청구항 : 인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 양측 기판에 소스/드레인 영역을 형성하는 단계;상기 소스/드레인 영역 상에 게더링층, 합금용 희생층 및 보호층을 차례로 적층하는 단계;열처리 공정을 진행하여 상기 소스/드레인 영역에 합금을 형성하고 동시에 상기 소스/드레인 영역 내의 산소를 게더링층과 결합시키는 단계; 및합금이 형성된 상기 소스/드레인 영역 상에 잔류하는 상기 게더링층, 합금용 희생층 및 보호층을 제거하는 단계를 포함하고,상기 게더링층은 GexSbyTez(GST; x,y,z는 자연수)층을 포함하는 모스펫 제조 방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3519152000913