박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 제조 방법

출원번호 : 10-2016-0060942 (출원일: 2016-05-18)

등록번호 : 10-1816877 (등록일: 2018-01-03)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터는 채널 층, 채널 층 상의 소스 전극 및 드레인 전극 및 채널 층과 절연된 게이트 전극을 포함하고, 채널 층은 두께에 따라 상이한 결정 특성을 가지며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 아래 부분이 나머지 부분보다 더 두껍게 형성될 수 있다.

대표청구항 : 채널 층;상기 채널 층 상의 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 채널 층과 절연된 게이트 전극을 포함하고,상기 채널 층은,두께에 따라 상이한 결정 특성을 가지며,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 아래 부분이 나머지 부분보다 더 두껍게 형성되고,상기 채널 층은,제1 영역; 상기 제1 영역과 상기 소스 전극 사이의 제2 영역; 및상기 제1 영역과 상기 드레인 전극 사이의 제3 영역을 포함하며,상기 제1 영역은 반도체 특성을 갖고,상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 금속 특성을 갖는 박막 트랜지스터.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3518024000669