박막 트랜지스터 제조방법

출원번호 : 10-2015-0051835 (출원일: 2015-04-13)

등록번호 : 10-1678776 (등록일: 2016-11-16)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명의 박막 트랜지스터 제조방법은 기판의 상면에 게이트절연층을 형성하는 절연층 형성 단계, 상기 게이트절연층의 상면에 열 원자 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방법을 이용하여, 증착온도를 연속적으로 변화시키며 액티브층을 증착하는 액티브층 증착 단계, 상기 게이트절연층의 하면에 게이트전극을 형성하는 제 1 전극 형성 단계 및 상기 액티브층의 상면에, 티타늄(Ti)을 포함하는 금속을 증착하여 소스 전극 및 드레인전극을 상기 액티브층과 일부 중첩되도록 형성하는 제 2 전극 형성 단계를 포함하여 마련된다. 상기의 본 발명의 박막 트랜지스터 제조방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터는 액티브층 및 게이트절연층의 결함 밀도를 줄일 수 있으며, 높은 전압의 게이트 바이어스에서도, 본 발명의 액티브층은 Vth의 변동폭이 낮으므로, 전기적 안정성이 종래의 일반적인 박막 트랜지스터에 비해 개선되었다.

대표청구항 : 박막 트랜지스터 제조방법으로서,기판의 상면에 게이트절연층을 형성하는 절연층 형성 단계;상기 게이트절연층의 상면에 열 원자 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방법을 이용하여, 증착온도를 연속적으로 낮추며 액티브층을 증착하는 액티브층 증착 단계;상기 기판의 하면에 게이트전극을 형성하는 제 1 전극 형성 단계; 및상기 액티브층의 상면에, 티타늄(Ti)을 포함하는 금속을 증착하여 소스 전극 및 드레인 전극을 상기 액티브층과 적어도 일부 중첩되도록 형성하는 제 2 전극 형성 단계;를 포함하고,상기 액티브층은 아연 산화물계 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3516482000827