반도체 장치 SEMICONDUCTOR DEVICE

출원번호 : 10-2019-7027248 (2009년11월09일)

등록번호 : 10-2163686 (2020년09월29일)

특허권자 : 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

요약 : 표시 장치의 고정밀화에 따라서, 화소수가 증가하여, 게이트선 수 및 신호선 수가 증가한다. 게이트선 수 및 신호선 수가 증가하면, 게이트선 및 신호선을 구동하기 위한 구동 회로를 포함하는 IC 칩을 본딩 등에 의해 실장하는 것이 어려워, 제조 비용이 증대한다. 동일 기판 위에 화소부와, 화소부를 구동하는 구동 회로를 구비하고, 구동 회로의 적어도 일부는, 게이트 전극 사이에 개재된 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터를 포함한다.
산화물 반도체와 산화물 반도체 위에 구비되는 게이트 전극 사이에는 채널 보호층이 구비된다. 동일 기판 위에 화소부 및 구동 회로를 구비함으로써, 제조 비용을 감소시킨다.

1020197027248