출원번호 : 10-2021-0014501 (2021.02.02)
등록번호 : 10-22961700000 (2021.08.25)
특허권자 : 남서울대학교 산학협력단
요약 : 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체로 베이스층 형성하는 단계; 상기 베이스층 상에 절연층을 형성한 후, 상기 절연층을 식각하여 상기 베이스층이 노출되는 복수의 홀을 포함하는 나노 몰드를 형성하는 단계; 상기 나노 몰드의 복수의 홀에 제1 도전형 질화물 반도체를 증착하고 상기 나노 몰드를 제거하여 복수의 제1 도전형 질화물 반도체 나노로드를 형성하는 단계; 상기 복수의 제1 도전형 질화물 반도체 나노로드 표면에 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하고, 상기 절연층의 식각은 반응성 이온 식각 공정으로 수행된다.
1020210014501
