상온에서 강자성 특성을 갖는 초격자 박막구조의티타늄옥사이드계 묽은 자성 반도체 박막 및 그의 제조방법

출원번호 : 10-2006-0094695 (출원일: 2006-09-28)

등록번호 : 10-0851632 (등록일: 2008-08-05)

특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 상온에서 자성 반도체의 특성을 나타내는 초격자 박막구조의 TiO2계 묽은 자성 반도체 박막 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Ti 격자 위치에 Fe와 Mn이 각각 치환된 Ti1-xFexO2-δ(0<x≤0.10, δ=0.1~0.5)와 Ti1-yMnyO2-δ(0<y≤0.10, δ=0.1~0.5)의 박막이 단결정 기판 상에 교대로 에피텍셜(epitaxial)하게 성장되어 이루어진 초격자(superlattice) 구조의 TiO2계 묽은 자성 반도체 박막 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 TiFeO/TiMnO 초격자 박막은 초격자 박막내에 석출물이 존재하지 않아 상온에서도 강자성 특성을 나타내는 묽은 자성 반도체로서, 이를 이용한 magnetic tunneling junction (MTJ) 및field-effect transistor (FET) 소자응용에 활용할 수 있다.

대표청구항 : Ti 격자 위치에 Fe와 Mn이 각각 치환된 Ti1-xFexO2-δ(0<x≤0.10, δ=0.1~0.5)와 Ti1-yMnyO2-δ(0<y≤0.10, δ=0.1~0.5)의 박막이 단결정 기판 상에 교대로 에피텍셜하게 성장되어 이루어진 초격자 구조의 TiO2계 묽은 자성 반도체 박막.

상세링크 : http://newsd.wips.co.kr/wipslink/api/dkrdshtm.wips?skey=3508057001535