실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법

출원번호 : 10-2019-0161195 (출원일: 2019-12-06)

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특허권자 : 충남대학교산학협력단

요약 : 본 발명은 이종접합 실리콘 태양전지와 페로브스카이트 태양 전지를 접합시켜 형성하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법에 있어서, 상기 이종접합 실리콘 태양전지를 형성하되, 상면이 텍스처링 구조를 가지는 n형 단결정 실리콘 기판의 상부에 상면이 텍스처링 구조를 가지는 n-type a-Si층과 중간 투명전극을 형성하는 과정과, 상기 중간 투명전극의 상면에 상기 페로브스카이트 태양전지의 홀 수송층을 ALD 방법으로 증착하는 과정과, 상기 홀 수송층의 상면에 페로브스카이트층을 Thermal CVD 방법으로 증착하는 과정과, 상기 페로브스카이트층의 상면에 LiF층을 ALD 방법으로 증착하는 과정과, 상기 LiF층의 상면에 전자 수송층을 ALD 방법으로 증착하는 과정 및 상기 전자 수송층의 상면에 상부 투명전극을 형성하는 과정을 포함하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법을 개시한다.

대표청구항 : 이종접합 실리콘 태양전지와 페로브스카이트 태양 전지를 접합시켜 형성하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법에 있어서, 상기 이종접합 실리콘 태양전지를 형성하되, 상면이 텍스처링 구조를 가지는 n형 단결정 실리콘 기판의 상부에 상면이 텍스처링 구조를 가지는 n-type a-Si층과 중간 투명전극을 형성하는 과정;상기 중간 투명전극의 상면에 상기 페로브스카이트 태양전지의 홀 수송층을 ALD 방법으로 증착하는 과정;상기 홀 수송층의 상면에 페로브스카이트층을 Thermal CVD 방법으로 증착하는 과정;상기 페로브스카이트층의 상면에 LiF층을 ALD 방법으로 증착하는 과정;상기 LiF층의 상면에 전자 수송층을 ALD 방법으로 증착하는 과정 및상기 전자 수송층의 상면에 상부 투명전극을 형성하는 과정을 포함하며,상기 LiF층 형성 과정에서 Li 전구체는 Li tert-butoxide(LiOtBu) 또는 Li HMDS를 사용하며, F 전구체는 HF와 Pyridine의 혼합물을 사용하며,상기 HF와 Pyridine의 혼합비는 5:5 ~ 9:1이며,상기 LiF층은 140℃보다 낮은 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법.

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